Infineon最新技术资料大全

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[摘要] 随着USB PD 3.1标准[1]的发布，最大功率被提升到了240W。但宽输出电压范围5V至48V给现有的转换器拓扑结构带来了新的挑战。本白皮书提出了AC-DC PFC升压级和DC-DC HFB（混合反激式）级[2]（也称非对称半桥反

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[摘要] 英飞凌XENSIV强大而可靠的磁性传感器支持传输系统优化，最大限度地提高能源效率，使我们的地球更加洁净。我们强大的传感器可支持客户平台方式（标准化），可靠地减少了客户的质量问题，此外，我们还提供大量稳定的产品组合，使业务得以延续。

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[摘要] 本文将探讨增强型 GaN HEMT 在服务器电源和电信基础设施等高功率应用中的优势。与下一代最佳硅替代品相比，本文将定量地展示，基于 GaN 功率器件的系统能有多大提升。本文还将深入探讨相应拓扑结构、磁性器件选择及开关频率，以充分利用

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[摘要] 凭借英飞凌在电力电子领域的专业知识和众多宽禁带 (WBG) 相关 IP 产品系列，高压 (> 600 V) CoolGaN ™ 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 代表着一项重大工程

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[摘要] 英飞凌 TLE4972 无芯磁电流传感器产品系列专门满足汽车应用中电流感应的要求。成熟而强大的霍尔技术能够对电流感应的磁场进行准确且高度线性的电流测量。凭借其紧凑的设计，VSON 和 TDSO 封装分别只需要 3.5 x 4.5 mm