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半导体技术进入超摩尔时代,材料和工艺会有哪些改变?
进入21世纪以来,摩尔定律的失效大限日益临近,人工智能、5G、自动驾驶等新应用的兴起,对芯片性能提出了更高的要求,同时也推动了半导体制造工艺和新材料不断创新,工艺节点从28nm到10nm只经过了短短的五年,第三代半导体GaN和SiC的应用范围越来越广,据Yole预测,2021年全球SiC市场规模将上涨到5.5亿美元,GaN市场将达到3亿美元...
厂商之声
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ST:进入超摩尔时代,半导体材料和工艺必将迎来功能的多样化
半导体技术的发展也伴随着半导体材料的发展,半导体材料材料被划分为一、二、三代,第一代半导体材料是以Si为代表,第二代以GaAs为代表,第三代则是以GaN和SiC为代表,它们在制造高温、高频、抗辐射及大功率器件方面有优势……
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Cadence:5nm、7nm新工艺受宠,硅光技术将迈向主流应用
新型应用推动了半导体制造工艺不断创新,工艺节点从28nm到10nm只经过了短短的五年,每一代新工艺都会给芯片带来升级。目前,台积电7nm制程订单目前满载,市场供不应求,5nm制程还未大规模量产,已经遭到苹果、海思、超微等厂商哄抢……
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罗姆:借助新能源汽车这股东风,SiC能否快速起飞?
SiC在各个领域逐渐得到真正应用,在太阳能发电功率调节器、EV充电站、伺服电源等领域,SiC功率元器件的应用案例在不断增加。在电动汽车(EV)、插电式混动汽车的车载充电器上采用量越来越高……
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Soitec:要打破SiC、GaN“价高良率差”的瓶颈,还差一套得力的切割技术
在半导体产品生产中,决定其性能的除了材料还有衬底。所谓衬底,打个比方就是,要生产美酒需要好的产地和土壤,半导体同样需要出色的衬底,因为晶体管性能的好坏将直接影响晶圆的性能,而衬底可以改善晶体管的性能功耗、面积和成本权衡……
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与非e观点
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第三代半导体进入关键期,SiC 窗口期或将关闭?
国产GaN强势崛起,8英寸外延材料项目已投产
大厂加入量产行列,GaN 即将爆发?
国内GaN射频元件厂商生存现状分析,5G时代是否能实现弯道超车?
第三代半导体最重要的材料为什么是SiC?
科锐宣布扩产计划进展,将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂
历经八年,GaN功率器件有怎样的成长之路?
SiC功率器件成电力电子行业重要半导体,国产厂商的发展如何?
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